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COOLMOS在電源上的應用已經初具規模，做為電源工程師，在電源開發的過程中選用COOLMOS應該注意什么呢？ COOLMOS與VDMOS的結構差異 為了克服傳統MOS導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾，一些人在VDMOS基礎上提出了一種新型的理想器件結構，稱為超結器件或COOLMOS，COOLMOS的結構如圖2所示，其由一些列的P型和N型半導體薄層交替排列組成。在截止態時，由于P型和N型層中的耗盡區電......

2012年3月26日，測試應用中心引進國內首臺最高可測試2500伏IGBT、MOSFET、二極管、功率三極管等動態參數的尖端測試設備—ITC57300動態參數測試儀，進一步完善了測試應用中心實驗室的測試能力。該設備由美國ITC公司設計生產，是一款高集成度功率半導體分立器件動態參數測試儀，采用測試主機+功能測試頭+個性板的測試架構，最高測試電流可以達到400A，實現不同類型、同類型不同封裝、同類型同......

精確地測量電源紋波本身就是一門藝術。在圖6.1所示的示例中，一名初級工程師完全錯誤地使用了一臺示波器。他的第一個錯誤是使用了一支帶長接地引線的示波器探針；第二個錯誤則是將探針形成的環路和接地引線均置于電源變壓器和開關元件附近；最后一個錯誤是允許示波器探針和輸出電容之間存在多余電感。該問題在紋波波形中表現為高頻拾取。在電源中，存在大量可以很輕松地與探針耦合的高速、大信號電壓和電流波形，其中包括耦合自......

高電壓MOSFET技術在過去幾年中經歷了很大變化，給電源工程師帶來了不少選擇。只要提供有關不同技術的使用指南，就可以幫助工程師選擇合適的部件以達成其應用的效率和成本目標。了解不同MOSFET部件的細微差別及不同開關電路中的應力，能夠幫助工程師避免諸多問題。本文除介紹簡單的導通阻抗RDS(on) 以及其它MOSFET相關元素之外，并會探討更高電流密度與更快開關速度及的意義，提供使用更先進的MOSFE......

隨著制造技術的發展和進步，系統設計人員必須跟上技術的發展步伐，才能為其設計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統中的基本部件，工程師需要深入了解它的關鍵特性及指標才能做出正確選擇。本文將討論如何根據RDS(ON)、熱性能、雪崩擊穿電壓及開關性能指標來選擇正確的MOSFET。 MOSFET的選擇MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道MOS......