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器件規格書的幾頁英文數據看得眼花繚亂了吧，今天小編給大家逐條詳細解讀MOSFET參數，老板再也不會擔心我選器件的能力了，yeah！
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| 標識 | 參數 | 中文描述 | 應用系統關聯參數解讀 |
| VDSS | Drain to Source Voltage | 漏源電壓標稱值 | 參考BVDSS |
| ID | Continuous Drain Current (@TC=25°C) | 漏源標稱電流 | 漏源間可承受的電流值，該值如果偏小，在設計降額不充裕的系統中或在過載和電流保護的測試過程中會引起電流擊穿的風險。 |
| Continuous Drain Current (@TC=100°C) | |||
| IDM | Drain current pulsed | 漏源最大單脈沖電流 | 反應的是MOSFET漏源極可承受的單次脈沖電流強度，該參數過小，電源系統在做過載和電流保護測試時，有電流擊穿的風險。 |
| VGS | Gate to Source Voltage | 柵漏電壓 | 柵極可承受的最大電壓范圍，在任何條件下，必須保證其接入的電壓必須在規格范圍內。MOSFET的柵極也是MOSFET最薄弱的地方。 |
| EAS | Single pulsed Avalanche Energy | 單脈沖雪崩能量 | MOSFET漏源極可承受的最大單次或多次脈沖能量，該能量如果過小在雷擊浪涌、過載保護和耐壓等測試項目時有失效的風險。 |
| EAR | Repetitive Avalanche Energy | 重復雪崩能量 | |
| dv/dt | Peak diode Recovery dv/dt | 漏源寄生二極管恢復電壓上升速率 | （1）dv/dt反應的是器件承受電壓變化速率的能力，越大越好。 |
| （2）對系統來說，過高的dv/dt必然會帶來高的電壓尖峰，較差的EMI特性，不過該變化速率通過系統電路可以進行修正。 | |||
| PD | Total power dissipation (@TC=25°C) | 最大耗散功率 | 該值越大越好，由于該值的測試是模擬理想環境，所以測試出來值跟實際應用比起來差異特別大，參考意義比較有限。 |
| Derating Factor above 25°C | |||
| TSTG, TJ | Operating Junction Temperature & Storage Temperature | 結溫及貯存溫度 | 該參數表明MOSFET的溫度承受能力，越大越好 |
| TL | Maximum Lead Temperature for soldering | 最大引線焊接溫度 | 該參數是針對插件類產品來說，該參數值越大，焊接時溫度承受能力越好。 |
| purpose, 1/8 from Case for 5 seconds. |
Thermal characteristics
| 標識 | 參數 | 中文描述 | 應用系統關聯參數解讀 |
| Rthjc | Thermal resistance, Junction to case | 芯片到封裝的熱阻抗 | 該系列參數均表明在發熱相同條件下器件散熱能力的強弱，熱阻越小散熱能力越好。 |
| Rthcs | Thermal resistance, Case to Sink | 封裝到散熱片的熱阻抗 | |
| Rthja | Thermal resistance, Junction to ambient | 芯片到空氣的熱阻抗 |
| 標識 | 參數 | 中文描述 | 應用系統 關聯參數解讀 |
| IS | Continuous source current | 最大連續續流電流 | 漏源間可承受的最大持續電流，該值如果偏小，在設計降額不充裕的系統中在測試過載和電流保護的過程中會引起電流擊穿的風險。 |
| ISM | Pulsed source current | 最大單脈沖續流電流 | 反應的是MOSFET漏源極可承受的單次脈沖電流強度，該參數過小，電源系統在做過載和電流保護測試時，有電流擊穿的風險。 |
| VSD | Diode forward voltage drop. | 二極管源漏電壓 | 該參數如果過大，在橋式或LLC系統中會導致系統損耗過大，溫升過高。 |
| Trr | Reverse recovery time | 反向恢復時間 | 該參數如果過大，在橋式或LLC系統中會導致系統損耗過大，溫升過高。同時也加重了電路直通的風險。 |
| Qrr | Reverse recovery Charge | 反向恢復充電電量 | 該參數與充電時間成正比，一般越小越好。 |
Electrical characteristic
( TC = 25°C unless otherwise specified )
| 標識 | 參數 | 中文描述 | 應用系統關聯參數解讀 |
| Off characteristics | |||
| BVDSS | Drain to source breakdown voltage | 漏源擊穿電壓 | 漏源極最大承受電壓，該參數為正溫度系數。如果BVDSS過小，應用到余量不足的系統板中會引起MOSFET過壓失效。 |
| ΔBVDSS/ ΔTJ | Breakdown voltage temperature coefficient | 漏源擊穿電壓的溫度系數 | 正溫度系數，反應的是BVDSS溫度穩定性，其值越小，表明穩定性越好。 |
| IDSS | Drain to source leakage current | 漏源漏電流 | 正溫度系數，IDSS越大，MOSFET關斷時的靜態損耗越大，會導致溫升惡化。 |
| IGSS | Gate to source leakage current, forward | 柵極驅動漏電流 | 柵極漏電流，越小越好，對系統效率有較小程度的影響。 |
| Gate to source leakage current, reverse | |||
| On characteristics | |||
| VGS(TH) | Gate threshold voltage | 開啟電壓 | （1）在相同ID和跨導條件下，VGS(TH)越高，MOSFET米勒平臺也就越高。 |
| （2）其直接反應MOSFET的開啟電壓，MOSFET實際工作時柵極驅動電壓必須大于平臺電壓，如果柵極驅動電壓長期工作在平臺附近，會導致器件不能完全打開，內阻急劇上升，從而器件產生相應的熱失效現象。 | |||
| RDS(ON) | Drain to source on state resistance | 導通電阻 | 同一規格的MOSEFET RDS(ON)越小越好，其直接決定MOSFET的導通損耗，RDS(ON)決越大，損耗越大，MOSFET溫升也越高。在較大功率電源中，RDS(ON)損耗占MOSFET整個損耗中較大比例。 |
| RDS(ON)的變化會引起客戶系統板過流保護點的變化。 | |||
| Gfs | Forward Transconductance | 正向跨導 | 其反應的是柵電壓對漏源電流控制的能力，Gfs過小會導致MOSFET關斷速度降低，關斷能力減弱，Gfs過大，會導致關斷過快，EMI特性差，同時伴隨關斷時漏源會產生更大的關斷電壓尖峰。 |
| Dynamic characteristics | |||
| Ciss | Input capacitance | 輸入電容=Cgs+Cgd | 該參數影響到MOSFET的開關時間，Ciss越大，同樣驅動能力下，開通及關斷時間就越慢，開關損耗也就越大，這也是在電源電路中要加加速電路的原因。但較慢的開關速度對應的會帶來較好的EMI特性。 |
| Coss | Output capacitance | 輸入電容=Cds+Cgd | 這兩項參數對MOSFET開關時間有影響，其中Cgd會影響到漏極有異常高電壓時，傳輸到MOSFET柵極電壓能量的大小，會對雷擊測試項目有一定影響。 |
| Crss | Reverse transfer capacitance | 反向傳輸電容=Cgd (米勒電容) | |
| td(on) | Turn on delay time | 漏源導通延遲時間 | 這些參數都是與時間相互關聯的參數。開關速度越快對應的優點是開關損耗越小，效率高，溫升低，對應的缺點是EMI特性差，MOSFET關斷尖峰過高。 |
| tr | Rising time | 漏源電流上升時間 | |
| td(off) | Turn off delay time | 漏源關斷延遲時間 | |
| tf | Fall time | 漏源電流下降時間 | |
| Qg | Total gate charge | 柵極總充電電量 | |
| Qgs | Gate-source charge | 柵源充電電量 | |
| Qgd | Gate-drain charge | 柵漏充電電量 | |
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